%0 Journal Article
%T Study on the Characteristics of Q-switching Nd:YVO4 Laser with GaAs Grown at Low Temperature<br>低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究
%A Jiang Qichang
%A Zhuo Zhuang
%A Wang Yonggang
%A Li Jian
%A Su Yanli
%A Ma Xiaoyu
%A Zhang Zhigang
%A Wang Qingyue
%A <br>姜其畅
%A 卓壮
%A 王勇刚
%A 李健
%A 苏艳丽
%A 马骁宇
%A 张志刚
%A 王清月
%J 光子学报
%D 2006
%I 
%X 采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd:YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2 W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15 ns,最大单脉冲能量为4.84 μJ,最高峰值功率为330 W,最大平均输出功率为1.16 W;脉冲重复频率在220 kHz到360 kHz之间.
%K 低温生长GaAs
%K 被动调Q
%K Nd:YVO4激光器
%K 半导体抽运
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=E3C302768EB782B1&yid=37904DC365DD7266&vid=6209D9E8050195F5&iid=5D311CA918CA9A03&sid=6DAA05ECA4CD5075&eid=BE14F47B38DC36BB&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=11