%0 Journal Article
%T Influence of Active-Layer Thickness on Reflection-mode GaAs Photocathode<br>发射层厚度对反射式GaAs光电阴极性能的影响
%A ZOU Ji-jun
%A GAO Pin
%A YANG Zhi
%A CHANG Ben-kang
%A <br>邹继军
%A 高频
%A 杨智
%A 常本康
%J 光子学报
%D 2008
%I 
%X 通过求解扩散方程,推导了含有后界面复合速率的反射式GaAs光电阴极量子效率公式,并利用MBE在GaAs (100)衬底上外延生长了发射层厚度分别为1.6 μm、2.0 μm和2.6 μm,掺杂浓度为1×1019cm-3的三个反射式GaAs阴极样品,进行了激活实验.实验结果显示:随着发射层厚度的增加,阴极的长波量子效率和灵敏度都有所提高,而这种提高与阴极电子扩散长度的增长有关.同时,理论仿真研究发现,当后界面复合速率小于或等于105cm/s时,阴极发射层有一个最佳厚度,此时阴极灵敏度最高.后界面复合速率对阴极灵敏度在发射层厚度较小时影响较大,而随着厚度的增大阴极灵敏度最终趋于稳定.
%K GaAs photocathode
%K Quantum efficiency
%K Integral sensitivity
%K Active-layer thickness<br>GaAs光电阴极
%K 量子效率
%K 积分灵敏度
%K 发射层厚度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=900732718DA29B2F3F03CF2F2E36A690&yid=67289AFF6305E306&vid=42425781F0B1C26E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=1AA557EFF1C6B447&eid=CA10C709B736BBEA&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=2&reference_num=11