%0 Journal Article
%T Annealing Effect on ZnO Thin Films Grown by Laser-MBE<br>L-MBE法生长ZnO薄膜的退火研究
%A YANG Xiao-dong
%A ZHANG Jing-wen
%A WANG Dong
%A BI Zhen
%A HOU Xun
%A <br>杨晓东
%A 张景文 王东 毕臻 侯洵
%J 光子学报
%D 2008
%I 
%X 研究了空气退火对于激光分子束外延(L-MBE)法制备的ZnO薄膜光学及结构特性的影响,报道了采用小角度X射线分析(GIXA)技术对于ZnO薄膜退火前后的表面及界面状况的定量分析结果.RHEED衍射图样表明,薄膜经过380℃及600℃原位退火后,其表面仍然较为粗糙.而XRD在面(in-plane)Φ扫描结果显示出经过800℃空气退火之后,薄膜具有更好的外延取向性.GIXA分析结果表明,800℃退火后ZnO薄膜的表面方均根粗糙度从退火前的1.13 nm下降为0.37 nm;同时ZnO/Al2O3界面粗糙度从2.10 nm上升为2.59 nm.ZnO室温PL结果显示,退火后薄膜紫外近带边发光强度比退火前增大了40倍,并出现了源于电子-空穴等离子体(EHP)复合的N带受激发射峰,激发阈值约为200 kW/cm2.
%K 氧化锌
%K 激光分子束外延
%K 退火
%K 光致发光
%K 在面Φ扫描
%K 小角度X射线分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=E2B8BAF360700373A8B9600E7389553B&yid=67289AFF6305E306&vid=42425781F0B1C26E&iid=94C357A881DFC066&sid=112A5CAF55F27887&eid=E5E53C81AEB35E6C&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=6&reference_num=23