%0 Journal Article
%T Study of Polarization Dependent Loss on Performances of InP/InGaAsP-EAM Based on M-Z Interferometer<br>应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振
%A Research Laboratory of Photonics
%A Optical Communication
%A Southeast University
%A Nanjing
%A <br>蔡纯
%A 刘旭
%A 肖金标
%A 丁东
%A 张明德
%A 孙小菡
%J 光子学报
%D 2006
%I 
%X 采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(PolarizationModeDispersion,PMD)·研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的·因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响·
%K InP/InGaAsP
%K Polarization-dependent loss(PDL)
%K Stress
%K Differential group delay(DGD)
%K Multiple quantum well(MQW)
%K Stokes model<br>InP/InGaAsP
%K 偏振相关损耗
%K 应力
%K 差分群时延
%K 多量子阱
%K Stokes模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=F0F4435B30EE25A2&yid=37904DC365DD7266&vid=6209D9E8050195F5&iid=59906B3B2830C2C5&sid=B48969C8F904F346&eid=2710CD585ED12D68&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=10