%0 Journal Article
%T The Study of the Growth of GaInP2 Materials on Ge Substrate<br>Ge衬底上GaInP2 材料的生长研究
%A 李晓婷
%A 汪韬
%A 赛小锋
%A 张志勇
%J 光子学报
%D 2005
%I 
%X 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面偏(110)面 9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35 nm/min,Ⅴ/Ⅲ为180～220时,获得了满足级联电池的GaInP2材料.
%K LP-MOCVD
%K GaInP_2
%K Ge
%K Material<br>LP-MOCVD
%K GalnP2
%K Ge
%K 材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=181BEF1B14193601&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=339D79302DF62549&iid=B31275AF3241DB2D&sid=E21B79B0E72C27CC&eid=58AAF01A97187A3A&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=1&reference_num=8