%0 Journal Article
%T 1.55 μm Low-temperature-grown GaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetector<br>1.55 μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
%A Han Qin
%A Peng Hongling
%A Du Yun
%A Ni Haiqiao
%A Zhao Huan
%A Niu Zhichuan
%A Wu Ronghan
%A <br>韩勤
%A 彭红玲
%A 杜云
%A 倪海桥
%A 赵欢
%A 牛智川
%A 吴荣汉
%J 光子学报
%D 2006
%I 
%X 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性·
%K Detector
%K LT-GaAs
%K RCE
%K DBR<br>探测器
%K LT-GaAs
%K 谐振腔增强
%K 分布布喇格反射镜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=D091CA7ACAA9EE91&yid=37904DC365DD7266&vid=6209D9E8050195F5&iid=E158A972A605785F&sid=811ACA5D3673A764&eid=CEFF71AEB051114C&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=4&reference_num=15