%0 Journal Article
%T Hydrogen Passivation Effect on GaAs Thin Films<br>氢对GaAs薄膜的钝化作用
%A Zhu Huiqun
%A Ding Ruiqin
%A Hu Yi
%A <br>朱慧群
%A 丁瑞钦
%A 胡怡
%J 光子学报
%D 2006
%I 
%X 报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层(13~20nm厚)高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法,研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响.对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析.结果表明,衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构,薄膜的晶团尺寸较大,微观表面较为粗糙,其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰,带隙光致荧光峰强明显增加,说明氢在衬底温度500℃~520℃下对薄膜有重要的钝化作用.
%K RF magnetron sputtering
%K GaAs film
%K Hydrogen passivation
%K Exciton hump
%K PL spectrum<br>射频磁控溅射
%K GaAs薄膜
%K 氢钝化
%K 激子峰
%K 光致荧光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=D55C62CB2283FDB1&yid=37904DC365DD7266&vid=6209D9E8050195F5&iid=5D311CA918CA9A03&sid=1805714CB338690A&eid=9978E8308B7F7CE6&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=13