%0 Journal Article
%T Study on Growth and Characteristics of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Structure<br>垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究
%A National Key Lab of High Power Semiconductor Lasers
%A Changchun University of Science
%A Technology
%A Changchun
%A <br>李林
%A 钟景昌
%A 张永明
%A 赵英杰
%A 王勇
%A 刘文莉
%A 郝永琴
%A 苏伟
%A 晏长岭
%J 光子学报
%D 2005
%I 
%X 在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm,腔模波长与PL谱峰值波长相匹配
%K Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL)
%K Distributed Bragg Reflector (DBR)
%K Photoluminescence (PL)
%K Double Crystal X Ray Diffraction (XRD)<br>垂直腔面发射激光器（VCSEL）
%K 分布布拉格反射镜（DBR）
%K 光荧光（PL）
%K X射线双晶衍射（XRD）
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=36012B43802EC78D&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=339D79302DF62549&iid=38B194292C032A66&sid=5957D6E0A50D26B5&eid=3622B70F9C54A9CC&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=1&reference_num=4