%0 Journal Article
%T An Ensemble Monte Carlo Study of High Field Electron Transport in 6H-SiC<br>6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
%A 王平
%A 周津慧
%A 杨银堂
%A 屈汉章
%A 杨燕
%A 付俊兴
%J 光子学报
%D 2004
%I 
%X 采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级
%K H-SiC
%K Ensemble Monte Carlo study
%K Anisotropy
%K Dr ift velocity
%K Mean energy
%K Electron impact ionization rates<br>6H-SiC
%K 多粒子蒙特卡罗研究
%K 各向异性
%K 漂移速度
%K 平均能量
%K 电子碰撞电离率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=97F70C45C38F9D7C&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=38B194292C032A66&sid=3224764AEAFCF8C2&eid=86C0C9A759FDA8CA&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=4&reference_num=12