%0 Journal Article
%T STUDY OF NEA GaAs PHOTOCATHODE ACTIVATION
NEAGaAs光电阴极激活工艺研究
%A 张书明
%A 孙长印
%J 光子学报
%D 1996
%I
%X 本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
%K GaAs photocathode
%K Heat cleaning
%K Activation
光电阴极
%K 热清洁
%K 激活
%K 砷化镓
%K 铯分子源
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=7A99AE8C04B3C0531C0E295348A1EAA8&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=04EA291949415E08&eid=0B9C8D3D9D6254B2&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=1