%0 Journal Article
%T CALCULATION OF THE BANDGAP NARROWING DUE TO HEAVY DOPING IN p-TYPE STRAINED Si1-xGex LAYERS<br>p型Si1-xGex应变层中重掺杂禁带窄变的计算
%A Wu Wengang
%A Zhang Wanrong
%A Jiang Desheng
%A Luo Jinsheng
%A <br>吴文刚
%A 张万荣
%A 江德生
%A 罗晋生
%J 电子与信息学报
%D 1996
%I 
%X 针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～3×1019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
%K SiGe alloy
%K Strain
%K Heavy doping
%K Band structure<br>锗硅合金
%K 应变
%K 重掺杂
%K 能带结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=31E9A18F48B77768F799F64E4F85C833&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=50B6AC44200581A5&eid=5DD21DF25EF52D4A&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=15