%0 Journal Article
%T STUDY OF DEEP LEVELS IN Ga_(1-x)AlxAs/GaAs DH LEDs<br>GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
%A Zhang Guicheng Wu Zheng Chen Ziyao Zhou Binglin
%A <br>张桂成
%A 吴征
%A 陈自姚
%A 周炳林
%J 电子与信息学报
%D 1989
%I 
%X 本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
%K LED
%K GaAlAs/GaAs double heterojunction
%K Deep level<br>发光管
%K GaAlAs/GaAs双异质结
%K 深能级
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=6FCBFAA76047F754&yid=1833A6AA51F779C1&vid=708DD6B15D2464E8&iid=38B194292C032A66&sid=CF6CB42CFF3D4C4E&eid=50EA2A80A7D254EF&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=13