%0 Journal Article
%T CHEMICAL ETCHING BEHAVIOR OF SINGLE-CRYSTAL SILICON SLICE<br>单晶硅化学蚀刻行为的研究
%A WEN Jiu-ba
%A FAN Li-mei
%A ZHAO Sheng-li
%A ZHU Yao-min
%A <br>文九巴
%A 樊丽梅
%A 赵胜利
%A 祝要民
%J 腐蚀科学与防护技术
%D 2007
%I 
%X 用HF HNO3溶液蚀刻单晶硅表面,通过扫描电镜表征其形貌和厚度变化,研究了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对单晶硅化学蚀刻行为的影响.结果表明,温度对蚀刻速率的影响较大,温度升高使表面蚀刻不均匀,厚度急剧减小;硅片的厚度及表面形貌在蚀刻液浓度大于2.0 mol/L时变化较显著;室温时用1.5 mol/L HF HNO3蚀刻15 min获得了蚀坑大小适中(10 μm～15 μm)、分布均匀的多孔状表面.
%K single-crystal silicon slice
%K chemical etching
%K surface morphology<br>单晶硅片
%K 化学蚀刻
%K 表面形貌
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=AB188D3B70B071C57EB64E395D864ECE&jid=9F6E6EC8BA5BB62698F6640073DDD6E1&aid=2B909F4A9A28BE5D&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=E158A972A605785F&sid=1A363081E1FF7014&eid=273ADA1BCEFE8C00&journal_id=1002-6495&journal_name=腐蚀科学与防护技术&referenced_num=0&reference_num=9