%0 Journal Article
%T IRRADIATION DAMAGES IN ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY<br>电子束光刻中的辐照损伤
%A Sun Yuping
%A Zhu Wenzhen
%A Liang JunhouGe Huang
%A Liang Jiuchun
%A <br>孙毓平
%A 朱文珍
%A 梁俊厚
%A 葛璜
%A 梁久春
%J 电子与信息学报
%D 1985
%I 
%X 本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=80ED2680A68C90BE&yid=74E41645C164CD61&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=8ED630AD8C61FAE8&eid=85002451B65CE0D1&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=9