%0 Journal Article
%T OBSERVATION AND STUDY ON THE DARK DEFECTS IN InGaAsP/InP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LEDS<br>InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究
%A Zhang Guicheng
%A Shen Pangnian
%A <br>张桂成
%A 沈彭年
%J 电子与信息学报
%D 1987
%I 
%X 用红外电视选行扫描仪观察由不同P型掺杂剂的外延片制成的InGaAsP/InP双异质结发光管的暗缺陷,并研究了它的来源。比较了P型掺杂剂的种类和掺杂浓度对暗结构的影响。结果表明,掺Mg和掺In-Zn合金与重掺Zn器件相比,暗结构比例明显降低。Zn可能是暗缺陷的重要来源之一。器件在70℃,85℃条件下老化2000小时后,老化前无暗缺陷的某些器件亦有暗结构产生,但其生长率很慢。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=3B0E131C94748D6B&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=9CF7A0430CBB2DFD&iid=94C357A881DFC066&sid=8D75AD3BD0D1BCC5&eid=78976D931AD1540F&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=15