%0 Journal Article
%T RESEARCH ON THE EVAPORATION PROPERTY OF IMPREGNATED DISPENSER CATHODE BY AES<br>浸渍钡钨阴极蒸发性能的AES分析
%A Zhang Yongkang
%A Zhu Qingyuan
%A Zhang Yiying
%A <br>张永康
%A 朱清元
%A 张贻英
%J 电子与信息学报
%D 1987
%I 
%X 利用俄歇能谱“就地”定性、定量地测量了浸渍钡钨阴极(4.56∶1.44∶2)的蒸发成分和速率。得到的主要结果是:(1)老炼初期和寿命初期蒸发率可相差半个量级,前者的蒸发能为4.34eV,而后者为4.58eV;(2)蒸发物成分随阴极温度不同而变化,高温激活时,氧化钡在蒸发物中的比例缓慢减少,但Ca的蒸发增加,1250℃时,约占3.5％,在工作温度范围内,90％左右为金属钡,氧化钡约占9.3％;(3)与50年代蒸发测量相比,AES法得到的BaO蒸发量少得多,但与热力学理论计算的结果一致;(4)与AES计量的5∶3∶2,4∶1∶1阴极相比,所研究的阴极(4.56∶1.44∶2)的Ca蒸发量少得多,这是该阴极的特点;(5)逸出功测量和AST曲线都表明,当吸附了约1.5×10~(14)at./cm~2的钡时,多晶钨表面已建立一个由吸附原子形成的均匀的屏蔽场。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=03BF567092A169AF&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=9CF7A0430CBB2DFD&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=ECE8E54D6034F642&eid=987EDA49D8A7A635&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=16