%0 Journal Article
%T STUDY ON Pt-GaAs SCHOTTKY BARRIER APD<br>Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究
%A Guo Kangjin
%A Hu Weiyang
%A Yao Wenlan
%A Chen Lianyong
%A <br>郭康瑾
%A 胡维央
%A 姚文兰
%A 陈莲勇
%J 电子与信息学报
%D 1992
%I 
%X Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5～3×10~(15)cm~(-3)、厚度约为20μm的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为1×10~(15)cm~(-2)的质子轰击,在直径为150μm的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600(?)移动到8835(?),截止波长可延伸到9700(?),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安;过剩噪声系数为7;上升、下降时间短于1ns。这种器件可与FET实现平面集成。
%K Avalanche photo-detector
%K GaAs
%K Schottky barrier<br>雪崩光电探测器
%K GaAs
%K 肖特基势垒
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=A699E3B472FB0A5D&yid=F53A2717BDB04D52&vid=F3583C8E78166B9E&iid=94C357A881DFC066&sid=5A751AE9FA58A3FB&eid=91BAD12CFABB3251&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=6