%0 Journal Article
%T 0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
%A 余山
%A 章定康
%A 黄敞
%J 电子与信息学报
%D 1994
%I 
%X 针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。
%K 亚微米LDD器件
%K 模拟
%K 可靠性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=A1E162F2BBA4B7DE2E913401AF369A0F&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=E158A972A605785F&sid=EE23223CE4332BD7&eid=DA74B62FE4348759&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=10