%0 Journal Article
%T 用扫描电镜观察氧化铅靶层P-I-N结
%A 孔光临
%A 邓礼生
%A 冯紫英
%A 陆颖
%A 郁春英
%J 电子与信息学报
%D 1979
%I 
%X 氧化铅摄象管靶是一种有结光电导靶。为了保证靶的暗电流、灵敏度、分辨力等性能,这种靶应具有P-I-N结构。在靠近透明电极一面应为很薄的N型区;靶的主要部分应为电阻率较高的本征层(Ⅰ层);而在邻近自由表面处则应该是很薄的P层。为了充分发挥有结光电导靶的性能,有必要直接观察判断P-I-N结。但是由于氧化铅靶实际上是一个微晶组成的疏松层,所以观察单晶半导体结的通常方法在这里已不适用。多年来未见有报道这方面的观察结果,其原因或许就是直接观察不容易。近年来,我们试用扫描电子显
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=C4136A21C6313B1D&yid=8C8371356FB4C85C&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=A8DE7703CC9E390F&eid=475189FCB44F11F6&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=0