%0 Journal Article
%T Cu deep level center in CdTe solar cell<br>CdTe太阳电池中起因于Cu的深能级
%A Zheng Xu
%A Li Bing
%A Wang Zhao
%A Zhang Dong-Ting
%A Feng Liang-Huan
%A Zhang Jing-Quan
%A Cai Ya-Ping
%A Zheng Jia-Gui
%A Wu Li-Li
%A Li Wei
%A Lei Zhi
%A Zeng Guang-Gen
%A <br>郑旭
%A 黎兵
%A 王钊
%A 张东廷
%A 冯良桓
%A 张静全
%A 蔡亚平
%A 郑家贵
%A 武莉莉
%A 李卫
%A 雷智
%A 曾广根
%J 中国物理 B
%D 2010
%I 
%X 在CdTe太阳电池中，易引入并形成Cu深能级中心. 本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心. 研究中运用密度泛函相关理论，分析闪锌矿结构CdTe，Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度，计算得出Td场和C3v场下Cu2+ d轨道的分裂情况. 计算结果表明，CdTe太阳电池中的Ev+0206 eV和Ev+0122 eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子. 计算结果还表明，掺入Cu可降低CdTe体系能量.
%K 深能级瞬态谱，
%K 第一性原理，
%K CdTe，
%K Cu杂质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=CD8D6A6897B9334F09D8D1648C376FB4&aid=AF85C41861703A9169B9C8897897F24C&yid=140ECF96957D60B2&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=E158A972A605785F&sid=5640F121ACFF7A53&eid=8AEA017E33EDAB49&journal_id=1009-1963&journal_name=中国物理&referenced_num=0&reference_num=17