%0 Journal Article
%T Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition<br>基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究
%A Wang Ye-An
%A Qin Fu-Wen
%A Wu Dong-Jiang
%A Wu Ai-Min
%A Xu Yin
%A Gu Biao
%A <br>王叶安
%A 秦福文
%A 吴东江
%A 吴爱民
%A 徐 茵
%A 顾 彪
%J 中国物理 B
%D 2008
%I 
%X 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR-PEMOCVD)方法，采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源，高纯氮气作为氮源，三乙基镓(TEGa)作为Ga源，在蓝宝石(α-Al2O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向，表明制备的薄膜倾向于
%K GaMnN film
%K diluted magnetic semiconductor
%K ferromagnetism
%K Cruie temperature<br>GaMnN薄膜，
%K 稀磁半导体，
%K 铁磁性，
%K 居里温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=CD8D6A6897B9334F09D8D1648C376FB4&aid=B2D63500F6232A03034EC3415EB50181&yid=67289AFF6305E306&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=37F781FD8E744761&eid=F9A6B6F259CE5121&journal_id=1009-1963&journal_name=中国物理&referenced_num=0&reference_num=0