%0 Journal Article
%T 磷离子注入速率对4H-SiC(0001)晶格恢复与电阻率降低的影响
%A 高　欣
%A 孙国胜
%A 李晋闽
%A 张永兴
%A 王　雷
%A 赵万顺
%A 曾一平
%J 中国物理 B
%D 2005
%I 
%X 高剂量的磷离子注入4H-SiC(0001)晶面，注入速率从1.0×1012到4.0×1012 P+ cm-2s-1变化，而注入剂量固定为2.0×1015 P+ cm-2。室温注入，1500oC的高温下退火。利用光荧光和拉曼谱分析注入产生的晶格损伤以及退火后的残余缺陷。通过霍耳测试来分析注入层的电学性质。基于上述测试结果，发现通过减小磷离子的注入速率，极大地减少了注入层的损伤及缺陷。考虑到室温注入以及相对较低的退火温度(1500 oC)，在注入速率为1.0×1012 P+ cm-2s-1及施主浓度下为4.4×1019 cm-3的条件下，获得了非常低的方块电阻106 Ω/sq。
%K 离子注入
%K 碳化硅
%K 磷
%K 光荧光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=CD8D6A6897B9334F09D8D1648C376FB4&aid=030BB39A6ABFD0870577DBAEA1F19F03&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=4158386E7B9422C8&eid=70E3F4DEB0172F14&journal_id=1009-1963&journal_name=中国物理&referenced_num=0&reference_num=24