%0 Journal Article
%T 0.25-μm PMOSFETs中热载流子的退化特性和解释
%A 刘红侠
%A 郝跃
%A I.D.Hawkins
%A A.R.Peaker
%J 中国物理 B
%D 2005
%I 
%X 本文研究了深亚微米PMOSFETs的热载流子效应。研究发现热载流子效应包括界面态的产生和氧化层中固定正电荷的形成。通过实验证明了深亚微米PMOSFETs中这两种机制的重要性。首先，氧化层固定正电荷的产生在深亚微米PMOSFETs中起作用，使得器件的阈值电压退化，最终限制了表面沟道晶体管的使用寿命。对于先进的模拟和混合信号的应用，工艺和器件的可靠性必须按照阈值电压的漂移重新定义，而不仅仅依照跨导的退化或者栅氧化层的寿命来定义。其次，空穴注入产生的界面态也影响器件的特性。推断了热载流子效应的形成过程。
%K PMOSFETs
%K 热载流子效应
%K 氧化层固定正电荷
%K 界面态
%K 器件可靠性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=CD8D6A6897B9334F09D8D1648C376FB4&aid=8B15123592375B47CE8B6AF9FEA7ADB7&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=9036AC33107DC7C4&eid=F8C186D6055F60DE&journal_id=1009-1963&journal_name=中国物理&referenced_num=0&reference_num=15