%0 Journal Article
%T Framework and photoluminescence property of porous silicon after dipped in solution<br>浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性
%A YAN Yongjian WU Xuemei
%A <br>严勇健
%A 吴雪梅
%A 诸葛兰剑
%J 材料研究学报
%D 2004
%I 
%X 用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品,在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离,在样品表面形成了丰富的SiO2包裹纳米硅颗粒结构,研究了样品的光致发光(PL)特性.结果表明,与剥离前相比,表层多孔层剥离后PL谱的强度约有10倍的增幅,峰位主要在蓝紫光范围内.在300℃干氧中退火后,样品的发光强度下降为退火前的三分之一,随着退火温度的升高,发光强度有所增强.退火前后有不同的发光机理,退火前光激发主要在纳米硅内,然后在二氧化硅层中的发光中心辐射复合;退火后光激发和光辐射都发生在二氧化硅层中.
%K inorganic non-metallic materials
%K porous film
%K photoluminescence
%K Si nanocrystallites
%K luminescence centers<br>无机非金属材料
%K 多孔层
%K 光致发光
%K 纳米硅颗粒
%K 发光中心
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=C101C4C04993B4D94FCD8446E6CBEB3B&aid=5734B0BFF7361AEA&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=13553B2D12F347E8&iid=94C357A881DFC066&sid=FD207D3C5E9776FA&eid=1918ADDC93A85779&journal_id=1005-3093&journal_name=材料研究学报&referenced_num=0&reference_num=8