%0 Journal Article
%T Effect of annealing temperature on the electrical properties of low voltage ZnO-based ceramic film<br>退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响
%A JIANG Shenglin
%A LIN Ruzhan
%A ZENG Yike
%A LIU Meidong
%A <br>姜胜林
%A 林汝湛
%A 曾亦可
%A 刘梅冬
%J 材料研究学报
%D 2005
%I 
%X 应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550～950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5 V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA/mm2.
%K inorganic non-metallic materials
%K a novel sol-gel process
%K annealing temperature
%K ZnO-based ceramic films
%K electrical properties of low voltage varistor<br>无机非金属材料
%K 新型溶胶-凝胶法
%K 退火温度
%K ZnO陶瓷薄膜
%K 低压压敏特性
%K 退火温度
%K 陶瓷薄膜
%K 低压压敏特性
%K 影响
%K ceramic
%K film
%K low
%K voltage
%K electrical
%K properties
%K annealing
%K temperature
%K 漏电流密度
%K 线性系数
%K 压敏电压
%K 存在
%K 尖晶石相
%K 稳定性
%K 转变
%K 相形成
%K 焦绿石
%K 温度范围
%K 退火条件
%K 掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=C101C4C04993B4D94FCD8446E6CBEB3B&aid=B27E1CC9186BC85F&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=331211A5F5616413&eid=F24949CFDB502409&journal_id=1005-3093&journal_name=材料研究学报&referenced_num=4&reference_num=17