%0 Journal Article
%T Infrared detector array with PLZT thick films on silicon--based microstructure tunnels<br>Si基微绝热结构PLZT厚膜红外探测器阵列
%A ZENG Yike LIU Meidong HUANG Yanqiu
%A <br>曾亦可
%A 刘梅冬
%A 黄焱球
%J 材料研究学报
%D 2004
%I 
%X 介绍了一种制备非致冷红外探测器阵列的新方法,此方法避免了使用传统的微电子机械系统(MEMS)工艺来加工微桥.研究了如何在Si基片表面形成ZnO膜层网格状结构的方法.ZnO纳米粉末和PLZT厚膜采用改进的溶胶-凝胶法制备.表征了ZnO纳米粉末的表面形貌和PLZT厚膜的相组成,测量了 PLZT-8/53/47厚膜的铁电性和热释电性.结果表明,ZnO纳米粉末的粒径为40～70 nm,PLZT-8/53/47厚膜为纯钙钛矿相,其主结晶方向与底电极一致.PLZT-8/53/47厚膜具有优良的热释电性能,其热释电系数p为8.21×10-8C/(cm2·℃),而矫顽场较小,25℃时 Ec为32.0 kV/cm,40℃时 Ec仅为27.8 kV/cm.
%K inorganic non-metallic materials
%K uncooled infrared detector array
%K sol-gel
%K PLZT thick films
%K pyroelectric properties<br>无机非金属材料
%K 非致冷红外探测器阵列
%K 溶胶凝胶法
%K PLZT厚膜
%K 热释电性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=C101C4C04993B4D94FCD8446E6CBEB3B&aid=94B6121D21F55C13&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=13553B2D12F347E8&iid=38B194292C032A66&sid=2B25C5E62F83A049&eid=AA5FB09E1F81059E&journal_id=1005-3093&journal_name=材料研究学报&referenced_num=1&reference_num=17