%0 Journal Article
%T THE PHASE TRANSITION AND PHOTOELECTRONIC PROPERTIES OF NiO_x THIN FILMS
含氧量对NiOx薄膜光电特性的影响
%A FU Zhuxi
%A LIN Bixia
%A HAN Xianzhe
%A LIAO Guihong
%A
傅竹西
%A 林碧霞
%A 韩宪泽
%A 廖桂红
%J 材料研究学报
%D 1997
%I
%X 采用直流溅射方法制备了厚度小于0.1μm的NiOx薄膜,研究薄膜的加热氧化及其光电特性,测量了它们的透射光谱和电阻率随薄膜中的氧一及热处理温度的变化。
%K thin film of NiO_x oxidation photoelectronic properties
NiOx薄膜
%K 加热氧化
%K 光电特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=C101C4C04993B4D94FCD8446E6CBEB3B&aid=5ACD8AB24ADD55EDA8F6EEB647642BC0&yid=5370399DC954B911&vid=708DD6B15D2464E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=4C100B7696CE9E24&eid=F1177A9DF1349B63&journal_id=1005-3093&journal_name=材料研究学报&referenced_num=0&reference_num=2