%0 Journal Article
%T THE STUDY OF OPTIMUM PROCESS CONDITION OF Hg SENSITIZATION PHOTO-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SiO_2FILMS<br>Hg敏化光CVD SiO_2薄膜最佳工艺条件的研究
%A JING Junhai SUN Qing
%A <br>景俊海
%A 孙青
%J 材料研究学报
%D 1991
%I 
%X 本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO_2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反应室总压力和气体流量分别在30—50min、30—50Pa 和300—500 Sccm 范围内选取时,可得到最佳的薄膜。
%K low-temperature
%K Hg sensitization
%K photo-chemical vapor deposition
%K SiO_2 films<br>低温
%K Hg敏化
%K 光—CVD
%K SiO_2薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=C101C4C04993B4D94FCD8446E6CBEB3B&aid=95962DDC2FE442B9&yid=116CB34717B0B183&vid=94C357A881DFC066&iid=0B39A22176CE99FB&sid=F260CE035846B3B8&eid=BBF7D98F9BEDEC74&journal_id=1005-3093&journal_name=材料研究学报&referenced_num=0&reference_num=1