%0 Journal Article
%T Total Dose Radiation-Hard 0.8μm SOI CMOS Transistors and ASIC
%A Xiao Zhiqiang
%A Hong Genshen
%A Zhang Bo
%A Liu Zhongli
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0．8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性，该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad（Si）的总剂量的关系来表征．实验结果表明pMOS器件在关态下1Mrad（Si）辐射后最大阈值电压漂移小于320mV，nMOS器件在开态下1Mrad（Si）辐射后最大阈值电压漂移小于120mV，器件在总剂量1Mrad（Si）辐射后没有观察到明显漏电，在总剂量500krad（Si）辐射下专用集成电路的静态电流小于5pA．
%K SOI
%K SIMOX
%K 辐射
%K 专用集成电路
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=58237F851FB45440&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=5AD409C6B641DD28&eid=7820732DED23DCED&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=15