%0 Journal Article
%T Low-Temperature Wafer-to-Wafer Bonding Using Intermediate Metals<br>利用金属过渡层低温键合硅晶片
%A Zhang Xiaoying
%A Chen Songyan
%A Lai Hongkai
%A Li Cheng
%A Yu Jinzhong
%A <br>张小英
%A 陈松岩
%A 赖虹凯
%A 李成
%A 余金中
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414 ℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度.
%K wafer bonding
%K interface characteristic
%K intermediate metals
%K bonding mechanism<br>硅片键合
%K 界面特性
%K 金属过渡层
%K 键合机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5C122BE7D8A62066&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=527AEE9F3446633A&eid=CEC789B3C68C3BB3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10