%0 Journal Article
%T N-I-P 单结微晶硅太阳电池中N/I 与 I/P界面缓冲层的研究与优化
%A 袁育杰
%A 侯国付
%A 张建军
%A 薛俊明
%A 曹丽冉
%A 赵颖
%A 耿新华
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 采用高压RF-PECVD技术制备了本征微晶硅薄膜和n-i-p结构微晶硅太阳电池。详细研究了n-i-p微晶硅太阳电池中n/i 和 i/p 缓冲层对太阳电池性能的影响。实验结果表明，提高n/i 界面晶化率以及在i/p 界面加入非晶缓冲层均有利于太阳电池性能的提高。通过优化界面缓冲层，微晶硅单结电池和非晶硅/微晶硅叠层电池的性能得到大幅度提高。
%K 微晶硅
%K 界面
%K 缓冲层
%K n-i-p太阳电池
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A26A1EDB3E7046CD7F39CB6E99BB1FE9&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=38B194292C032A66&sid=D82D9811DCB56895&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0