%0 Journal Article
%T Physical Vapor Transport Growth and Characterization of Large Bulk AlN Crystal<br>物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征
%A Dong Zhiyuan
%A Zhao Youwen
%A Wei Xuecheng
%A Li Jinmin
%A <br>董志远
%A 赵有文
%A 魏学成
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 利用物理气相传输法生长了直径40～50 mm、厚约8～10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5 mm.用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.
%K AlN
%K physical vapor transport
%K defects<br>AlN
%K 物理气相传输法
%K 缺陷
%K 物理
%K 气相传输
%K 体单晶生长
%K 大尺寸
%K 晶体质量
%K 性质表征
%K Crystal
%K Bulk
%K Large
%K Characterization
%K Growth
%K Vapor
%K Transport
%K 影响
%K 生长条件
%K 结果分析
%K 结合
%K 深能级缺陷
%K 激活能
%K 存在
%K 导电特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=03AE04D906A11EB2&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=02DC3A182A5530DF&eid=3D9746C06EC12B45&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=26