%0 Journal Article
%T An Analytical Model of Electron Mobility for Strained-Si Channel nMOSFETs<br>应变硅电子迁移率解析模型
%A Li Xiaojian
%A Tan Yaohua
%A Tian Lilin
%A <br>李小健
%A 谭耀华
%A 田立林
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及<100>/<110>方向单轴应力,沟道方向为<100>/<110>的器件;易于嵌入常用仿真工具中.
%K Strained-Si
%K electron mobility
%K analytical model
%K nMOSFET
%K uniaxial stress/strain<br>应变硅
%K 电子迁移率
%K 解析模型
%K n型场效应管
%K 单轴应力/应变
%K Strained-Si
%K electron
%K mobility
%K analytical
%K model
%K nMOSFET
%K uniaxial
%K stress/strain
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3853E0954C6457C7CC3EF734DE8C6A51&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=94C357A881DFC066&sid=AD0A5DE51C29AB9F&eid=B84F2E0A99FDC89A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=20