%0 Journal Article
%T A novel noise optimization technique for inductively degenerated CMOS LNA<br>一种新颖的低噪声放大器的噪声优化方法
%A Geng Zhiqing
%A Wang Haiyong
%A Wu Nanjian
%A <br>耿志卿
%A 王海永
%A 吴南健
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 本文提出了一种新颖的源级电感负反馈低噪声放大器的噪声优化方法。针对定偏置电压下理想栅电感和定 功耗下的非理想栅电感两种情形，利用数学分析和合理的近似方法分别进行了详细的讨论，给出了简洁而有效的分析设计公式。根据提出的公式，仅仅依靠手工计算，便可以快速而有效的设计出符合噪声性能要求的LNA 电路。我们在TSMC 0.25um CMOS 工艺下设计了1.8GHz 的LNA 电路。测试结果显示，该LNA 电路可以在5mW 的功耗水平下，取得1.6dB 的噪声指数和14.4dB 的功率增益。因此，测试结果证实了设计的LNA 电路可以在低功耗下取得低噪声水平。
%K low noise
%K optimization
%K noise factor<br>低噪声放大器，低噪声，优化，噪声系数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B19207E0C4E87B393BBB5EA76C0D1A98&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=4F4078CDBBBBEE5C&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0