%0 Journal Article
%T A Recessed AlGaN/GaN HEMT with High Output Power in the X Band<br>X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT
%A Feng Zhen
%A Zhang Zhiguo
%A Wang Yong
%A Mo Jianghui
%A Song Jianbo
%A Feng Zhihong
%A Cai Shujun
%A Yang Kewu
%A <br>冯震
%A 张志国
%A 王勇
%A 默江辉
%A 宋建博
%A 冯志红
%A 蔡树军
%A 杨克武
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω·cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果.
%K AlGaN/GaN HEMT
%K high output power density
%K internally matched device<br>AlGaN/GaN
%K HEMT
%K 高输出功率
%K 内匹配器件
%K 波段
%K 高输出功率
%K AlGaN
%K HEMT
%K Band
%K Output
%K Power
%K 结果
%K 内匹配
%K 功率附加效率
%K 功率增益
%K 单胞
%K 输出功率密度
%K 频率
%K 工作电压
%K 栅宽
%K 击穿电压
%K 参量
%K 电流崩塌
%K 比接触电阻率
%K 研制工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D5A878DE2510DB44714262994A096BEB&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=420937A57970FA8C&eid=3EE525DF29381C30&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6