%0 Journal Article
%T 2.4um源漏间距的高性能AlGaN/GaN HEMTs
%A 王东方
%A 魏珂
%A 袁婷婷
%A 刘新宇
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文报道了具有2.4um源漏间距的AlGaN/GaN HEMTs。这是目前利用国内材料和工艺制作的最小源漏间距的AlGaN/GaN HEMTs。本文还详细比较了源漏间距2.4um和4um器件的电特性。相比之下，2.4um源漏间距AlGaN/GaN HEMTs的漏电流、跨导、增益、输出功率和效率明显提高，更具意义的是器件的最大震荡频率有较大提高。
%K AlGaN/GaN
%K HEMT
%K 高频
%K 源漏间距
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=99844D396F09A579F33D8F3A9B35109E&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=38B194292C032A66&sid=1E592E74A194E772&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0