%0 Journal Article
%T Effect of Power Density on the Properties of μc-Si:H Deposited by VHF-PECVD<br>功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响
%A Guo Xuejun
%A Lu Jingxiao
%A Wen Shutang
%A Yang Gen
%A Chen Yongsheng
%A Zhang Qingfeng
%A Gu Jinhua
%A <br>郭学军
%A 卢景霄
%A 文书堂
%A 杨根
%A 陈永生
%A 张庆丰
%A 谷锦华
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.
%K μc-Si:H
%K VHF-PECVD
%K 功率密度
%K 孵化层
%K 成核密度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6C76A49853270030A2CA28D7D1BD1549&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=B31275AF3241DB2D&sid=7C112B12217D9FAF&eid=4E3541241257D204&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=18