%0 Journal Article
%T Growth Mechanism of Microcrystalline Silicon Films by Scaling Theory and Monte Carlo Simulation<br>用标度理论和蒙特卡洛方法研究微晶硅薄膜的生长机制
%A Zi Wei
%A Zhou Yuqin
%A Liu Fengzhen
%A Zhu Meifang
%A <br>訾威
%A 周玉琴
%A 刘丰珍
%A 朱美芳
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 使用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜(沉积速度为1.2nm/s),通过原子力显微镜研究了薄膜前期生长的粗糙化过程.按照标度理论获得微晶硅薄膜的生长因子为β≈O.67,粗糙度因子为α≈O.80,动力学因子为1/z=0.40.这些标度指数不能用一般的生长模型来解释.通过蒙特卡罗模拟给出与实验一致的结果.模拟表明,入射流方向、生长基元的类型和浓度、生长基元的粘滞、再发射和影蔽过程都对微晶硅薄膜的表面形貌有比较重要的影响.
%K uc-Si:H
%K growth mechanism
%K scaling theory
%K Monte Carlo simulations
%K reemission process<br>微晶硅薄膜
%K 生长机制
%K 标度理论
%K 蒙特卡罗方法
%K 再发射模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5E7207C2E717E01F65BBAB6100AC239E&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=5D311CA918CA9A03&sid=4D36A7D6CAFA227E&eid=AA9D0A3238B80655&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16