%0 Journal Article
%T Physical effect on transition from blocking to conducting state of barrier-type thyristor<br>势垒型晶闸管由阻断态向导通态转变过程中的物理效应
%A Li Hairong
%A Li Siyuan
%A <br>李海蓉
%A 李思渊
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 深入研究了势垒型晶闸管（BTH）由正向阻断状态向导通状态转变的物理效应和物理本质,指出BTH的“关”态和“通”态是性能相差极其悬殊的两个状态，二态之间实现转变必需经历深刻而复杂的物理变化。详细分析了转折点的性质和特点，指出转折点正是势垒被夷平之处，具有双重性，对空穴的俘获截面及大注入下空穴的寿命有重要的影响使得器件进入深度电导调制；对转变区段负阻特性进行了讨论，用实验数据证实了深度电导调制效应是转变的关键和基本原因，估算了BTH的有效电阻和基区电导率所经历的巨大电导调制；阐明了与转变过程相关的若干物理效应包括：沟道势垒的夷平；双注入的建立和等离子体的形成；高电平注入的实现；空穴寿命随注入的增大；深度基区电导调制；转变过程中注入空穴、注入电子发挥的作用以及栅结耗尽区的消除等。
%K barrier-type thyristor
%K negative differential resistance
%K physical effect
%K conductance modulation<br>势垒型晶闸管(BTH)
%K 负阻
%K 物理效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6C918D1E9690F88E3252DCD5986A5DA5&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=59906B3B2830C2C5&sid=64A4BE7FE90815D0&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0