%0 Journal Article
%T A novel method to analyze the contact resistance effect on OTFTs<br>一种用于分析接触电阻对OTFT的性能影响的新方法研究
%A Chen Jinhuo
%A Hu Jiaxing
%A Zhu Yunlong
%A <br>陈金伙
%A 胡加兴
%A 朱云龙
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 一种通用的，可用于分析OTFT接触电阻对OTFT性能影响的模型具有重要意义，但这至今尚未见报道。为此本文通过引进一个关键参数Rc/Rch0 （接触电阻/通态电阻），并以模拟方法分析它与各性能参数变化率关系，从而使上述模型得到部分实现。研究中首先拓展了OTFT的Brown模型公式，接着分析了接触电阻导致的各性能参数（迁移率μ，饱和电压 VDsat等）误差变化情况。接着根据所得到结果，对关键参数Rc/Rch0重点进行了分析和论证，获得一个非常有意义的结果，在此基础上，一种估算OTFT内在接触电阻，进而修正因接触电阻导致的各性能参数误差值的方法被首次提出。实验证明该方法具有合理性。
%K OTFT
%K numerical study
%K Ion/Ioff
%K ohmic contact
%K error analysis<br>OTFT
%K 数值分析
%K 欧姆接触
%K 误差分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3A1389981F8431837F5E11D21C25EE5D&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=59906B3B2830C2C5&sid=3EFB3DC41AEB5ADB&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13