%0 Journal Article
%T An 88 nm gate-length In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As InP-based HEMT with fmax of 201 GHz<br>88 nm栅长fmax＝201 GHz InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMT器件
%A Zhong Yinghui
%A Wang Xiantai
%A Su Yongbo
%A Cao Yuxiong
%A Jin Zhi
%A Zhang Yuming
%A Liu Xinyu
%A <br>钟英辉
%A 王显泰
%A 苏永波
%A 曹玉雄
%A 金智
%A 张玉明
%A 刘新宇
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 我们成功研制了栅长88 nm, 栅宽2 50 μm, 源漏间距为2.4 μm 的InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率器件(HEMT)。栅是使用PMMA/Al/UVⅢ,通过优化电子束曝光时间及其显影时间的方式制作的。这些器件有比较好的直流及其射频特性：峰值跨导、最大源漏饱和电流密度、开启电压、ft和fmax 分别为765 mS/mm, 591 mA/mm, -0.5 V, 150 GHz 和201 GHz。这些器件将非常适合于毫米波段集成电路。
%K HEMT
%K gate-length
%K gate recess
%K InP
%K InAlAs/InGaAs<br>高电子迁移率器件
%K 栅长
%K 栅槽
%K InP
%K InAlAs/InGaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6054DFDC987AA8B2D32B70E04ED3EA58&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=0F1EE0B695C42876&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6