%0 Journal Article
%T Growth Mode of PTCDA on p-Si Substrates<br>p-Si基PTCDA的生长模式
%A Song Zhen
%A Ou Guping
%A Liu Fengmin
%A <br>宋珍
%A 欧谷平
%A 刘凤敏
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品表面进行AFM测试,结果表明PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷.原因是p-Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其他缺陷.得出PTCDA在p-Si基底上的生长模式为:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTCDA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构.
%K PTCDA
%K growth mode
%K AFM<br>PTCDA
%K 生长模式
%K AFM
%K PTCDA
%K growth
%K mode
%K AFM
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D8ED6D50DD62E624&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=9F481C73BF82C48F&eid=BCE65990EF9348F5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10