%0 Journal Article
%T NiO removal of Ni/Au Ohmic contact to p-GaN after annealing<br>p-GaN Ni/Au 电极退火后NiO的除去
%A Lin Mengzhe
%A CaoQing
%A YanTingjing
%A ZhangShuming
%A ChenLianghui
%A <br>林孟喆
%A 曹青
%A 颜廷静
%A 张书明
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 将在氧气中退火后的Ni/Au电极用草酸溶液处理后，I-V特性显示接触特性明显改善。俄歇电子深度分布谱（AES depth profile）显示Ni/Au电极退火后表面是高阻的NiO， X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy)显示草酸溶液能有效除去电极表面的NiO，扫描电镜(Scanning Electron Microscope)观察草酸处理后的电极表面由多孔状变为平整表面且局部裸露出金属Au, 当测试探针或后续加厚电极Ti/Au与这些区域直接接触时就能形成电流低阻通道，减小电极接触电阻率。
%K oxalic acid treatment
%K specific contact resistance
%K NiO<br>NiO
%K 草酸处理
%K 接触电阻率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=20C13EB75CD5FD7EE1E76EAEE258C6A7&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=0B39A22176CE99FB&sid=9D150821EF1D4A0E&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0