%0 Journal Article
%T A Ka-Band PHEMT MMIC 1W Power Amplifier<br>Ka频段PHEMT 1W功率单片放大器
%A Yu Mengxi
%A Li Aibin
%A Xu Jun
%A <br>喻梦霞
%A 李爱斌
%A 徐军
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 设计制作了Ka频段高输出功率的单片功率放大器.基于河北半导体研究所的0.25μm栅长的75mm GaAsPHEMT工艺制作的三级功率放大器,芯片尺寸为19.25mm2(3.5mm×5.5mm).在32.5～35.5GHz的频率范围内,小信号线性增益大于16dB,带内平均1dB增益压缩点输出功率为29.8dBm,最大饱和输出功率为31dBm.
%K Ka-band
%K power amplifier
%K PHEMT
%K MMIC<br>Ka频段
%K 功率放大器
%K MMIC
%K PHEMT
%K Ka-band
%K power
%K amplifier
%K PHEMT
%K MMIC
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5646F94D35B54F6F8900ACDF3DE3D84B&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=F3699C8B183A53ED&eid=388804B5826A17DB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8