%0 Journal Article
%T Low-Temperature Growth of ZnO Films on GaAs by Metal Organic Chemical Vapor Deposition<br>用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜
%A Shi Huiling
%A Ma Xiaoyu
%A Hu Like
%A Chong Feng
%A <br>史慧玲
%A 马骁宇
%A 胡理科
%A 崇峰
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法,在100～400℃低温范围内,在GaAs(001)衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD),室温PL,AFM,SEM研究了薄膜的晶体结构特性、发光特性及表面形貌特性.XRD分析表明ZnO薄膜具有很强的c轴取向,(002)峰的FWHM平均值为0.3°.当生长温度达到400℃时从SEM测量结果可以观察到薄膜表面呈六角状结晶.随着生长温度的升高,薄膜的晶粒尺寸变大,结晶质量得到提高但同时表面变粗糙.室温PL测量显示薄膜在370nm附近有强的近带边发射,没有观测到深能级发射峰.
%K metal-organic chemical vapor deposition
%K ZnO film
%K GaAs
%K low-temperature<br>MOCVD
%K ZnO薄膜
%K GaAs
%K 低温
%K metal-organic
%K chemical
%K vapor
%K deposition
%K ZnO
%K film
%K GaAs
%K low-temperature
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=552905500D8F4A5B3CE211D97F03A215&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=59906B3B2830C2C5&eid=7801E6FC5AE9020C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=25