%0 Journal Article
%T Epitaxial Growth of Atomically Flat AlN Layers on Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长
%A Zhao Hong
%A Zou Zey
%A Zhao Wenbai
%A Liu Ting
%A Yang Xiaobo
%A Liao Xiuying
%A Wang Zhen
%A Zhou Yong
%A Liu Wanqing
%A
赵红
%A 邹泽亚
%A 赵文伯
%A 刘挺
%A 杨晓波
%A 廖秀英
%A 王振
%A 周勇
%A 刘万清
%J 半导体学报
%D 2007
%I
%X 在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166".实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.
%K MOCVD
%K AlN
%K polarity
%K atomically flat
MOCVD
%K AlN
%K 极性
%K 原子级光滑
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5646F94D35B54F6FB92C2B3A12E63A41&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=E826542BD0A89666&eid=ECF40C1D1FB7C43B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=20