%0 Journal Article %T Epitaxial Growth of Atomically Flat AlN Layers on Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长 %A Zhao Hong %A Zou Zey %A Zhao Wenbai %A Liu Ting %A Yang Xiaobo %A Liao Xiuying %A Wang Zhen %A Zhou Yong %A Liu Wanqing %A
赵红 %A 邹泽亚 %A 赵文伯 %A 刘挺 %A 杨晓波 %A 廖秀英 %A 王振 %A 周勇 %A 刘万清 %J 半导体学报 %D 2007 %I %X 在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166".实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量. %K MOCVD %K AlN %K polarity %K atomically flat
MOCVD %K AlN %K 极性 %K 原子级光滑 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5646F94D35B54F6FB92C2B3A12E63A41&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=E826542BD0A89666&eid=ECF40C1D1FB7C43B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=20