%0 Journal Article
%T 基极电流补偿曲率校正的0.13μm CMOS带隙基准源
%A 马卓
%A 谭晓强
%A 谢伦国
%A 郭阳
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 带隙基准是各种模拟/数模混合集成电路中的基础性组成部件，其温度稳定性是决定整体电路性能的重要因素之一。使用级联三极管的带隙基准结构能够有效的降低运算放大器输入失调对基准电路稳定性的影响。但是在CMOS工艺中，由于三极管器件的放大倍数 值较小，“发射极-基极”电流对集电极电流的分流作用较为显著，致使基准电压输出存在较大的温度漂移。针对这个问题，提出了一种自适应的基极电流补偿的技术，能够有效的提高级联三级管的带隙基准电路中输出基准电压的温度稳定性，实现基准电压的温度响应曲线的曲率校正。基于0.13μm CMOS工艺的实现结果表明，输出基准电压的温度稳定性可达到6.2ppm/℃（-40℃～125℃），输出基准电压1.238V。
%K 带隙基准
%K CMOS工艺
%K 三极管
%K 基极电流补偿
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=98AC7E5AAE91841762BD9A606C728DC0&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=24EA0155EDB1D315&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0