%0 Journal Article
%T Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的结构和光学性质
%A 岳伟
%A 闫金良
%A 吴江燕
%A 张丽英
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 用射频磁控溅射制备了本征β-Ga2O3薄膜及Zn掺杂β-Ga2O3薄膜,研究了Zn掺杂和热退火对薄膜结构和光学性质的影响。与本征β-Ga2O3薄膜相比, Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过、光学吸收、光学带隙以及光致发光等都发生了显著的变化。退火后的β-Ga2O3薄膜为多晶结构,Zn掺杂以后β-Ga2O3薄膜的光学带隙变窄,薄膜的结晶性变差,薄膜的光学透过降低,薄膜的紫外、蓝光及绿光发射加强。
%K 透明导电氧化物
%K Zn掺杂β-Ga2O3
%K 光学透过
%K 光学带隙
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6054DFDC987AA8B2677046892246E3A7&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=47B00D65BDA5281D&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14