%0 Journal Article
%T Duration of Startup of GaAs Wet Etching Measured by Infrared-Image of Linear Liquid Film<br>利用线形液膜的红外热像测定GaAs的湿法化学腐蚀启动时长
%A Liu Lin
%A Ye Yutang
%A Wu Yunfeng
%A Fang Liang
%A Lu Jiajia
%A Chen Zhenlong
%A <br>刘霖
%A 叶玉堂
%A 吴云峰
%A 方亮
%A 陆佳佳
%A 陈镇龙
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热像新方法.该方法的实质是利用反应启动时必然有化学热吸收或释放,从而引起材料表面液层温度变化这一特点,通过红外热像实时监测系统,采集液层温度变化过程的红外热像,从而判断反应启动时长.理论分析和实验结果均表明,宽度为2 mm的呈直线形状的GaAs表面酸性液膜是较为理想的监测对象,因其同时具备温度变化信息和空间分布信息,可以将线形液膜中心作为理想的观测特征点;由滑动液滴形成残留线形液膜可以得到超浅液膜,降低膜厚影响,温度变化灵敏度高,GaAs竖直放置,可以表面避免液膜重力对启动时长的影响,并经反复实验,由线形液膜的横向剖面灰度变化得到在本实验条件下,GaAs材料与H2SO4∶H2O2∶H2O(5∶1∶50)腐蚀液的反应启动时长约为0.2 s.该方法的提出,对于化学反应时间控制、快速腐蚀技术以及化学吸附等性能研究均具有重要价值.
%K GaAs
%K etching
%K infrared radiation
%K real-time monitoring
%K liquid droplets<br>砷化镓
%K 腐蚀
%K 红外辐射
%K 实时监测
%K 液滴
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBCD1177EBA860F2&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=8B59EA573021D671&eid=6ED15D8DCB279BC4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10