%0 Journal Article
%T Novel SOI double-gate MOSFET with a P-type buried layer<br>带有P型埋层的新型双栅SOI MOSFET
%A Yao Guoliang
%A Luo Xiaorong
%A Wang Qi
%A Jiang Yongheng
%A Wang Pei
%A Zhou Kun
%A Wu Lijuan
%A Zhang Bo
%A Li Zhaoji
%A <br>姚国亮
%A 罗小蓉
%A 王琦
%A 蒋永恒
%A 王沛
%A 周坤
%A 吴丽娟
%A 张波
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文提出一种超低比导通电阻(Ron,sp)可集成的SOI 双栅triple RESURF (reduced surface field)的n型MOSFET (DG T-RESURF)。这种MOSFET具有两个特点：平面栅和拓展槽栅构成的集成双栅结构(DG),以及位于n型漂移区中的P型埋层。首先, DG形成双导电通道并且缩短正向导电路径,降低了比导通电阻。DG结构在反向耐压时起到了纵向场板作用，提高了器件的击穿电压特性。其次, P型埋层形成triple RESURF结构 (T-RESURF),这不仅增加了漂移区的浓度,而且调节了器件的电场。这在降低了比导通电阻的同时提高了击穿电压。最后，与p-body区连接在一起的P埋层和拓展槽栅结构，可以显著降低击穿电压对P型埋层位置的敏感性。通过仿真,DG T-RESURF的击穿电压为325V,比导通电阻为8.6 mΩ?cm2,与平面栅single RESURF MOSFET(PG S-RESURF)相比,DG T-RESURF的比导通电阻下降了63.4%,击穿电压上升9.8%。
%K SOI
%K double gates
%K specific on-resistance
%K RESURF
%K breakdown voltage<br>双栅MOSFET
%K SOI
%K RESURF结构
%K 埋层
%K P型
%K 表面电场
%K 绝缘体上硅
%K 击穿电压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FDF75195748F95DD122729604203F33&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=94C357A881DFC066&sid=CEA8C36EECEB7DAC&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11